STD2N80K5

STMicroelectronics
511-STD2N80K5
STD2N80K5

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 532

Stany magazynowe:
1 532
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
2 500
Oczekiwane: 19.05.2026
Średni czas produkcji:
18
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
7,69 zł 7,69 zł
4,96 zł 49,60 zł
3,31 zł 331,00 zł
2,64 zł 1 320,00 zł
2,40 zł 2 400,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,18 zł 5 450,00 zł
1,96 zł 9 800,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
2 A
3.5 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
3 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: SG
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: SG
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: STD2N80K5
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 330 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.