STB8N90K5

STMicroelectronics
511-STB8N90K5
STB8N90K5

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 178

Stany magazynowe:
1 178 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
15,14 zł 15,14 zł
9,93 zł 99,30 zł
7,01 zł 701,00 zł
6,32 zł 3 160,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
5,46 zł 5 460,00 zł
5,38 zł 10 760,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
900 V
8 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 13.5 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 13.2 ns
Seria: STB8N90K5
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 36.4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 14.7 ns
Jednostka masy: 4 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.