Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STB47N60DM6AG

Name: STMicroelectronics STB47N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB47N60DM6AG
Price: 29.02 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STB47N60DM6AG

Nr prod.:

STB47N60DM6AG

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 998 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	29,02 zł	29,02 zł
	19,66 zł	196,60 zł
	14,36 zł	1 436,00 zł
	13,94 zł	6 970,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	12,81 zł	12 810,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	55 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	250 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Nazwa handlowa:	MDmesh
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	SG
Czas zanikania:	9 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5.5 ns
Seria:	STB47N60DM6AG
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	57 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	23 ns
Jednostka masy:	1,380 g