STB18N60DM2

STMicroelectronics
511-STB18N60DM2
STB18N60DM2

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 514

Stany magazynowe:
514 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 514 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
12,10 zł 12,10 zł
7,90 zł 79,00 zł
5,54 zł 554,00 zł
4,79 zł 2 395,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
4,33 zł 4 330,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 32.5 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 8 ns
Seria: STB18N60DM2
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 9.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 13.5 ns
Jednostka masy: 4 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.