Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STB155N3LH6

Name: STMicroelectronics STB155N3LH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB155N3LH6
Price: 11.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STB155N3LH6

Nr prod.:

STB155N3LH6

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STB155N3LH6 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STB155N3LH6

Na stanie magazynowym: 159

Stany magazynowe:: 159 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	11,01 zł	11,01 zł
	7,14 zł	71,40 zł
	5,12 zł	512,00 zł
	4,29 zł	2 145,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	3,59 zł	3 590,00 zł
	3,39 zł	6 780,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	80 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	110 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Nazwa handlowa:	STripFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	40 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	85 ns
Seria:	STB155N3LH6
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	100 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Jednostka masy:	4 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STB155N3LH6 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with R_DS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.