Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STB11NM80T4

Name: STMicroelectronics STB11NM80T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB11NM80
Price: 29.71 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STB11NM80

Nr prod.:

STB11NM80T4

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STB11NM80T4 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 635

Stany magazynowe:: 1 635 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	29,71 zł	29,71 zł
	20,47 zł	204,70 zł
	15,87 zł	1 587,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	14,84 zł	14 840,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	11 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	400 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	43.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	150 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MDmesh
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	15 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	8 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17 ns
Seria:	STB11NM80
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	46 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	22 ns
Jednostka masy:	4 g