RF2L16180CF2

STMicroelectronics
511-RF2L16180CF2
RF2L16180CF2

Produc.:

Opis:
RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 120   Wielokrotności: 120
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 120)
447,46 zł 53 695,20 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
65 V
1 Ohms
1.47 GHz
17.5 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B2-3
Reel
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Liczba kanałów: 1 Channel
Rodzaj produktu: RF MOSFET Transistors
Wielkość opakowania producenta: 120
Podkategoria: MOSFETs
Rodzaj: RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło: - 6 V to + 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło: 2.5 V
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99