Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

PD57018-E

Name: STMicroelectronics PD57018-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-PD57018-E
Price: 104.37 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-PD57018-E

Nr prod.:

PD57018-E

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 309

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 400

Oczekiwane: 10.05.2027
Średni czas produkcji:: 23

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	2.5 A
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	65 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	760 mOhms
Częstotliwość robocza:	1 GHz
Wzmocnienie:	16.5 dB
Moc wyjściowa:	18 W
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerSO-10RF-Formed-4
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1 S
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Pd – strata mocy:	31.7 W
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Seria:	PD57018-E
Wielkość opakowania producenta:	400
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 20 V
Jednostka masy:	3 g