Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

PD55003-E

Name: STMicroelectronics PD55003-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-PD55003-E
Price: 41.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-PD55003-E

Nr prod.:

PD55003-E

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 6 633 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

32,64 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	2.5 A
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Częstotliwość robocza:	1 GHz
Wzmocnienie:	17 dB
Moc wyjściowa:	3 W
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerSO-10RF-Formed-4
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1 S
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Pd – strata mocy:	31.7 W
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Seria:	PD55003-E
Wielkość opakowania producenta:	400
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 20 V
Jednostka masy:	3 g