MASTERGAN4TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4TR
MASTERGAN4TR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 3000   Wielokrotności: 3000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
14,32 zł 42 960,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Tray
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
42,10 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Marka: STMicroelectronics
Funkcje: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Napięcie wejściowe – maks.: 15 V
Napięcie wejściowe – min.: 3.3 V
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło: 225 mOhms
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Jednostka masy: 150 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.