Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

L6494LD

Name: STMicroelectronics L6494LD
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-L6494LD
Price: 7.43 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-L6494LD

Nr prod.:

L6494LD

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 718

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 000

Oczekiwane: 21.05.2026
Średni czas produkcji:: 18

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Reel, Cut Tape

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

8,19 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Sterowniki bramki
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rodzaj:	High-Side, Low-Side
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-14
Liczba sterowników:	2 Driver
Liczba wyjść:	2 Output
Prąd wyjścia:	2 A
Napięcie zasilania – min.:	10 V
Napięcie zasilania – max.:	20 V
Czas narastania:	25 ns
Czas zanikania:	25 ns
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Seria:	L6494
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	SG
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia:	120 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia:	120 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Prąd roboczy zasilania:	490 uA
Napięcie wyjścia:	600 V
Pd – strata mocy:	1 W
Rodzaj produktu:	Gate Drivers
Rds On – rezystancja dren–źródło:	175 Ohms
Zakończenie pracy:	Shutdown
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	PMIC - Power Management ICs
Technologia:	Si
Jednostka masy:	130 mg