GWA40MS120DF4AG

STMicroelectronics
511-GWA40MS120DF4AG
GWA40MS120DF4AG

Produc.:

Opis:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 555

Stany magazynowe:
555 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
24,07 zł 24,07 zł
11,97 zł 119,70 zł
11,93 zł 1 431,60 zł
11,84 zł 6 038,40 zł
11,34 zł 11 566,80 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.95 V
20 V
80 A
536 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 80 A
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: IGBTs
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99