GH50H65DRB2-7AG

STMicroelectronics
511-GH50H65DRB2-7AG
GH50H65DRB2-7AG

Produc.:

Opis:
IGBTs Automotive trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed IGBT freewheeling diode

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1000   Wielokrotności: 1000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
5,96 zł 5 960,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
L9965P
AEC-Q100
Reel
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Rodzaj produktu: IGBTs
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095