EVSTDRIVEG600DM

STMicroelectronics
511-EVSTDRIVEG600DM
EVSTDRIVEG600DM

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
314,12 zł 314,12 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:  
Demonstration Boards
Gate Driver
4.75 V to 20 V
STDRIVEG600
Marka: STMicroelectronics
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
9030890100
ECCN:
EAR99

EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board provides a Half-Bridge topology reference design pairing the STDRIVEG600 Gate Driver with an MDmesh™ DM2 Power MOSFET. The STDRIVEG600 is a single-chip half-bridge gate driver for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V.