KTDM8G4B832BGIBCT

Name: SMART KTDM8G4B832BGIBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B83BGIBCT
Price: 46.57 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

473-KTDM8G4B83BGIBCT

Nr prod.:

KTDM8G4B832BGIBCT

Produc.:

SMARTsemi

Opis:

DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp

Karta charakterystyki:

KTDM8G4B832BGIBCT Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SMARTsemi KTDM8G4B832BGIBCT

Na stanie magazynowym: 241

Stany magazynowe:: 241 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	46,57 zł	46,57 zł
	43,22 zł	432,20 zł
	41,93 zł	1 048,25 zł
	40,89 zł	2 044,50 zł
	39,90 zł	3 990,00 zł
	38,61 zł	9 652,50 zł
	37,63 zł	18 815,00 zł
	37,37 zł	37 370,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SMART
Kategoria produktów:	Pamięć DRAM
RoHS:
Rodzaj:	SDRAM - DDR4
Wielkość pamięci:	8 Gbit
Szerokość magistrali danych:	8 bit
Maksymalna częstotliwość zegara:	1.6 GHz
Opakowanie/obudowa:	FBGA-78
Organizacja:	1 G x 8
Napięcie zasilania – min.:	1.14 V
Napięcie zasilania – max.:	1.26 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Marka:	SMARTsemi
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Styl mocowania:	SMD/SMT
Rodzaj produktu:	DRAM
Podkategoria:	Memory & Data Storage

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

KTDM8G4B832BGIBCT Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).