RJL5014DPP-A0#T2

Name: Renesas Electronics RJL5014DPP-A0#T2
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-RJL5014DPP-A0#T2
Price: 54.31 PLN
Availability: LimitedAvailability

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

968-RJL5014DPP-A0#T2

Nr prod.:

RJL5014DPP-A0#T2

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

Cykl życia:

Ograniczona dostępność:

Ten numer części nie jest obecnie dostępny w Mouser. Produkt może być w ograniczonej dystrybucji lub na specjalne zamówienie w fabryce.

Karta charakterystyki:

RJL5014DPP-A0#T2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 568

Stany magazynowe:: 568 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 568 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	54,31 zł	54,31 zł
	39,94 zł	399,40 zł
	34,23 zł	3 423,00 zł
	33,05 zł	16 525,00 zł
	31,50 zł	31 500,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220FP-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	500 V
Id – Ciągły prąd drenu:	19 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	400 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	43 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	35 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tray
Marka:	Renesas Electronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	20 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	27 ns
Wielkość opakowania producenta:	25
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	95 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	32 ns