NP16N06QLK-E1-AY

Name: Renesas Electronics NP16N06QLK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-NP16N06QLKE1AY
Price: 10.29 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

968-NP16N06QLKE1AY

Nr prod.:

NP16N06QLK-E1-AY

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6

Karta charakterystyki:

NP16N06QLK-E1-AY Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Renesas Electronics NP16N06QLK-E1-AY

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,29 zł	10,29 zł
	6,68 zł	66,80 zł
	4,58 zł	458,00 zł
	3,79 zł	1 895,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,52 zł	8 800,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	16 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	39 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	11 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Renesas Electronics
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Czas zanikania:	3 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	30 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns