Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NP16N06QLK-E1-AY

Name: Renesas Electronics NP16N06QLK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-NP16N06QLKE1AY
Price: 10.28 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

968-NP16N06QLKE1AY

Nr prod.:

NP16N06QLK-E1-AY

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6

Karta charakterystyki:

NP16N06QLK-E1-AY Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Renesas Electronics NP16N06QLK-E1-AY

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,28 zł	10,28 zł
	6,75 zł	67,50 zł
	4,69 zł	469,00 zł
	3,88 zł	1 940,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,28 zł	8 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	16 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	39 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	11 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Renesas Electronics
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	3 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	30 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NP16N06QLK-E1-AY Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Automotive Power Devices

Renesas Electronics Automotive Power Devices are equipped with built-in peripheral and protection functions. The Renesas Electronics devices are designed for system reliability enhancement and unit downsizing. The devices offer a comprehensive range of intelligent power switches, thermal FETs, MOSFET drivers, and motor drivers. Renesas power devices achieve low on-resistance specifications thanks to ultra-fine technologies like the groundbreaking 0.25um ANL3 process and innovative multi-bonding mount technology.

Automotive Products

Renesas Electronics Automotive Products offer reliability, affordability, and cutting-edge technology to meet the demands of the automotive market. Renesas Electronics Automotive Products are a range of automotive products designed to deliver exceptional performance and stay ahead of current trends in the industry. Renesas strongly focuses on quality and is backed by dedicated customer support. The devices offer a remarkable product life cycle that ensures long-lasting solutions.