2SK3812-ZP-E1-AZ

Name: Renesas Electronics 2SK3812-ZP-E1-AZ
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-2SK3812-ZP-E1-AZ
Price: 26.67 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

968-2SK3812-ZP-E1-AZ

Nr prod.:

2SK3812-ZP-E1-AZ

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

MOSFETs POWER TRS2

Karta charakterystyki:

2SK3812-ZP-E1-AZ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 657

Stany magazynowe:: 657 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	26,67 zł	26,67 zł
	17,98 zł	179,80 zł
	13,06 zł	1 306,00 zł
	12,52 zł	6 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	11,63 zł	9 304,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	110 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Qg – ładunek bramki:	250 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	213 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Renesas Electronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	15 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	50 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	160 ns
Seria:	2SK3812-ZP
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	140 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	42 ns