SLG59M1614V

Renesas / Dialog
402-SLG59M1614V
SLG59M1614V

Produc.:

Opis:
Power Switch ICs - Power Distribution Integrated Power Switch w Charge Pump

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 7 324

Stany magazynowe:
7 324 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
3,51 zł 3,51 zł
2,52 zł 25,20 zł
2,27 zł 56,75 zł
2,00 zł 200,00 zł
1,87 zł 467,50 zł
1,79 zł 895,00 zł
1,73 zł 1 730,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,65 zł 4 950,00 zł
1,52 zł 9 120,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Renesas Electronics
Kategoria produktów: Układy scalone do przełączników zasilania – dystrybucja mocy
RoHS:  
Load Switch
1 Output
4 A
6 A
10.3 mOhms
1.8 ms
32 us
2.5 V to 5.5 V
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
STDFN-8
SLG59M1614V
Reel
Cut Tape
Marka: Renesas / Dialog
Pd – strata mocy: 1 W
Produkt: Power Switch ICs
Rodzaj produktu: Power Switch ICs - Power Distribution
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Switch ICs
Napięcie zasilania – max.: 5.5 V
Napięcie zasilania – min.: 2.5 V
Nazwa handlowa: GreenFET
Nazwy umowne nr części: SLG59M1614VTR
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

SLG59Mxx GreenFET Load Switches

Renesas / Dialog SLG59Mxx Load Switches are optimized for high-side power rail control applications from 0.25V to 25.2V where load currents range from 1A to 9A. The SLG59Mxx load switches use a proprietary MOSFET design that combines MOSFET IP and advanced assembly techniques in ultra-small PCB footprints from 0.56mm2 to 5.04mm2. The high-performance components exhibit low thermal resistances for high current operations.