Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

RD3N06BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N06BATTL1
Price: 10.79 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RD3N06BATTL1

Nr prod.:

RD3N06BATTL1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 2 041 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,79 zł	10,79 zł
	7,01 zł	70,10 zł
	4,83 zł	483,00 zł
	4,04 zł	2 020,00 zł
	3,79 zł	3 790,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,79 zł	9 475,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	60 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	26 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	110 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	101 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	170 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	23 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	46 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	265 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	27 ns