Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

R6012FNX

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-R6012FNX

Nr prod.:

R6012FNX

Produc.:

ROHM Semiconductor

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: Niedostępne

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wnioskuj o ofertę wyceny

Produc.:

ROHM Semiconductor

Nr prod.:

R6012JNXC7G

Opis:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220FP-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	510 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	35 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	50 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Bulk
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	20 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	3.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	37 ns
Wielkość opakowania producenta:	500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	77 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Jednostka masy:	2 g