Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

HT8KE5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KE5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KE5HTB1
Price: 6.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-HT8KE5HTB1

Nr prod.:

HT8KE5HTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 3 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,38 zł	6,38 zł
	4,08 zł	40,80 zł
	2,72 zł	272,00 zł
	2,15 zł	1 075,00 zł
	1,97 zł	1 970,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,83 zł	5 490,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	6.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	210 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	3.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	13 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	6.3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6.2 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.7 ns