+48 71 749 74 00

Część TTI Rodzina specjalistów Skontaktuj się z firmą Mouser +48 71 749 74 00 Opinie

Potwierdź wybór waluty:

PLN
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 300 zł (PLN).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Euro
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 75 € (EUR).
Wszystkie dostępne opcje płatności

USD
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej $90 (USD).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Na stanie magazynowym

RoHS

Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj
Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj

Historia zamówień

Produc.	Nr prod.:	Liczba szt.	Ogółem zewn.

Przeglądaj koszyk

Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

2SCR372PT100R

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-2SCR372PT100R

Nr prod.:

2SCR372PT100R

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

2SCR372PT100R Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Cennik (PLN)

Wnioskuj o ofertę wyceny

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	MPT-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	120 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	120 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Pd – strata mocy:	500 mW
Wzmacniacze GBP fT:	220 MHz
Seria:	2SCR372P
Opakowanie:	Reel
Marka:	ROHM Semiconductor
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	120
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	390 mA
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors