QPD2080D

Qorvo
772-QPD2080D
QPD2080D

Produc.:

Opis:
RF JFET Transistors 0.80mm Pwr pHEMT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
100
Oczekiwane: 03.08.2026
Średni czas produkcji:
20
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 100   Wielokrotności: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
71,11 zł 7 111,00 zł
69,64 zł 13 928,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Tranzystory JFET RF
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marka: Qorvo
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Rodzaj produktu: RF JFET Transistors
Seria: QPD2080D
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Dyskretne tranzystory GaAs QPD2080D 800 µm typu pHEMT

Dyskretne tranzystory GaAs QPD2080D 800 µm typu pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) firmy Qorvo charakteryzują się częstotliwością roboczą od częstotliwości DC do 20 GHz. Tranzystory te zapewniają typowo 29,5 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 11,5 dB oraz 56% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB. Dzięki takim parametrom tranzystory QPD2080D nadają się do zastosowań wymagających wysokiej sprawności.