QPD2060D

Qorvo
772-QPD2060D
QPD2060D

Produc.:

Opis:
RF JFET Transistors 0.60 mm Pwr pHEMT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 100

Stany magazynowe:
100 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 100   Wielokrotności: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
52,07 zł 5 207,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Tranzystory JFET RF
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marka: Qorvo
Rodzaj produktu: RF JFET Transistors
Seria: QPD2060D
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Dyskretne tranzystory GaAs QPD2060D 600 µm typu pHEMT

Dyskretne tranzystory GaAs QPD2060D 600 µm typu pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) firmy Qorvo charakteryzują się częstotliwością roboczą od częstotliwości DC do 20 GHz. Tranzystory te zapewniają typowo 28 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 12 dB oraz 55% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB. Dzięki takim parametrom tranzystory QPD2060D nadają się do zastosowań wymagających wysokiej sprawności.