Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

PXN7R7-25QLJ

Name: Nexperia PXN7R7-25QLJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PXN7R7-25QLJ
Price: 1.55 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PXN7R7-25QLJ

Nr prod.:

PXN7R7-25QLJ

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT8002 N-CH 25V 11.8A

Karta charakterystyki:

PXN7R7-25QLJ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PXN7R7-25QLJ

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,55 zł	1,55 zł
	0,968 zł	9,68 zł
	0,778 zł	77,80 zł
	0,74 zł	370,00 zł
	0,71 zł	710,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,671 zł	2 013,00 zł
	0,662 zł	3 972,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT8002-1-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	19 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	11.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	16.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	4.3 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	25 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5 ns
Nazwy umowne nr części:	934661599118

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

PXN7R7-25QLJ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Tranzystory MOSFET MLPAK33

Tranzystory MOSFET MLPAK33 firmy Nexperia oferują maksymalne napięcie bramka-źródło 20 V oraz rezystancję dren-źródło w stanie włączonym do 275 mΩ. Te tranzystory MOSFET są dostępne w obudowie MLPAK33 oraz dostępne w dwóch seriach: PXN i PXP. Tranzystory MOSFET firmy PXN z kanałem typu N są zgodne z poziomem logicznym i wykorzystują technologię MOSFET z kanałem rowkowym (Trench). Oferują bardzo niski poziom Q_G i Q_GD, co zapewnia wysoką wydajność systemu i niezwykle szybkie przełączanie z łagodnym wyłączeniem. Tranzystory MOSFET serii PXP z kanałem typu P charakteryzują się niskim profilem 0,8 mm i niską rezystancją termiczną. Temperatura robocza tranzystorów MOSFET MLPAK33 firmy Nexperia wynosi od –55°C do +150°C.