Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

TP0606N3-G

Name: Microchip TP0606N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TP0606N3-G
Price: 4.01 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

689-TP0606N3-G

Nr prod.:

TP0606N3-G

Produc.:

Microchip Technology

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 000

Oczekiwane: 24.12.2026
Średni czas produkcji:: 37

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,01 zł	4,01 zł

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Reel, Cut Tape

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

4,41 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-92-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	320 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.5 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Bulk
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	15 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	300 mS
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Jednostka masy:	453,600 mg