MSCSM170AM45CT1AG

Microchip Technology
579-SCSM170AM45CT1AG
MSCSM170AM45CT1AG

Produc.:

Opis:
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
472,53 zł 472,53 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Microchip
Kategoria produktów: Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
Marka: Microchip Technology
Rodzaj produktu: Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Discrete Semiconductor Modules
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

ECCN:
EAR99

MSCSM170AM45CT1AG High Voltage Power Modules

Microchip Technology MSCSM170AM45CT1AG High Voltage Power Modules are SiC power MOSFETs with a Kelvin source for easy drive. The modules have a low stray inductance with an internal thermistor for temperature monitoring. The devices feature outstanding performance at high-frequency operation, and a stable temperature behavior.