MSCSM120XM31RTBL3NG

Name: Microchip MSCSM120XM31RTBL3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120XM31RTBL3NG
Price: 1118.9 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-SM120XM31RTBL3NG

Nr prod.:

MSCSM120XM31RTBL3NG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-BL3

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

MSCSM120XM31RTBL3NG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 3 Wielokrotności: 3

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1 118,90 zł	3 356,70 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Press Fit
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	79 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	31 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	310 W
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	3-Phase Bridge
Czas zanikania:	25 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	30 ns
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns