Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

MSCSM120TAM16CTPAG

Name: Microchip MSCSM120TAM16CTPAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120TAM16CTPAG
Price: 2219.36 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

494-120TAM16CTPAG

Nr prod.:

MSCSM120TAM16CTPAG

Produc.:

Microchip Technology

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 2 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2 219,36 zł	4 438,72 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Rodzaj:	MOSFET / SiC SBD
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SP6P
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Opakowanie:	Bulk
Marka:	Microchip Technology
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	25 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	171 A
Pd – strata mocy:	728 W
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	16 mOhms
Czas narastania:	30 ns
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V