Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSCSM120HM083CAG

Name: Microchip MSCSM120HM083CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM120HM083CAG
Price: 2272.83 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-MSCSM120HM083CAG

Nr prod.:

MSCSM120HM083CAG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Karta charakterystyki:

MSCSM120HM083CAG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSCSM120HM083CAG

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2 272,83 zł	2 272,83 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Rodzaj:	Full Bridge
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Marka:	Microchip Technology
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MSCSM120HM083CAG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.