Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSCSM120AM02CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM02CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM120AM02CT6LIAG
Price: 4281.77 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

494-SM120AM02CT6LIAG

Nr prod.:

MSCSM120AM02CT6LIAG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

Wyświetl w narzędziu Development Tools Selector

Karta charakterystyki:

MSCSM120AM02CT6LIAG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSCSM120AM02CT6LIAG

Na stanie magazynowym: 8

Stany magazynowe:: 8 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4 281,77 zł	4 281,77 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Rodzaj:	MOSFET / SiC SBD
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SP6
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	67 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	947 A
Pd – strata mocy:	3.75 kW
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.6 mOhms
Czas narastania:	55 ns
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	166 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	56 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MSCSM120AM02CT6LIAG Karta charakterystyki (PDF)

DTS

Wyświetl w narzędziu Development Tools Selector

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.