Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

MSC080SMA120JS15

Name: Microchip MSC080SMA120JS15
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA120JS15
Price: 157.16 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-MSC080SMA120JS15

Nr prod.:

MSC080SMA120JS15

Produc.:

Microchip Technology

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 20 Wielokrotności: 10

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	157,16 zł	3 143,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Technologia:	SiC
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 23 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Czas zanikania:	19 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	37 A
Pd – strata mocy:	200 W
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Czas narastania:	4 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	24 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	4 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.8 V
Jednostka masy:	30 g