Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

MSC040SMA120SDT/R

Name: Microchip MSC040SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC040SMA120SDTR
Price: 55 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-MSC040SMA120SDTR

Nr prod.:

MSC040SMA120SDT/R

Produc.:

Microchip Technology

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 800 Wielokrotności: 800

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	55,00 zł	44 000,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D3PAK-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	68 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	50 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	137 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	338 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	21 ns
Opakowanie:	Reel
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	17 ns
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	mSiC MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	37 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	44 ns