Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSC025SMB120SDT/RM

Name: Microchip MSC025SMB120SDT/RM
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MC025SMB120SDTRM
Price: 45.74 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

579-MC025SMB120SDTRM

Nr prod.:

MSC025SMB120SDT/RM

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

MSC025SMB120SDT/RM Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 100 Wielokrotności: 100

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	45,74 zł	4 574,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	81 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	33 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 21 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	109 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	357 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	6.2 ns
Produkt:	MOSFET
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	14 ns
Wielkość opakowania producenta:	100
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	16 ns