Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

APTMC60TLM14CAG

Nr Mouser:

494-APTMC60TLM14CAG

Nr prod.:

APTMC60TLM14CAG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

Discrete Semiconductor Modules CC6232

Wyświetl w narzędziu Development Tools Selector

Cykl życia:

Przestarzały/nieaktualny

Karta charakterystyki:

APTMC60TLM14CAG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.