Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

APTM10HM19FT3G

Name: Microchip APTM10HM19FT3G
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APTM10HM19FT3G
Price: 250.95 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

494-APTM10HM19FT3G

Nr prod.:

APTM10HM19FT3G

Produc.:

Microchip Technology

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 8 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 8 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	250,95 zł	250,95 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SP-32
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	70 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	19 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, + 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	208 W
Opakowanie:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	125 ns
Wysokość:	11.5 mm
Długość:	73.4 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	70 ns
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	POWER MOS V
Rodzaj:	Full Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	95 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	35 ns
Szerokość:	40.8 mm
Jednostka masy:	145,260 g