APT50N60JCCU2

Microchip Technology
494-APT50N60JCCU2
APT50N60JCCU2

Produc.:

Opis:
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SOT227

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 25   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
126,25 zł 3 156,25 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Microchip
Kategoria produktów: Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:  
MOSFET-SBD Modules
MOSFET / SBD
Si
- 30 V, + 30 V
Screw Mount
- 55 C
+ 150 C
Tube
Marka: Microchip Technology
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Rodzaj produktu: Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Discrete Semiconductor Modules
Jednostka masy: 44,072 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Modules

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Power Modules combine a formidable array of technologies into a single package optimized for reliability, efficiency, space-saving, and reduced assembly time. The readily available standard module product line from Microchip Technology spans a wide selection of circuit topologies, semiconductors including Silicon Carbide, voltage and current ratings, and packages. Unique requirements can be met with application-specific power modules (ASPM®).