Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MCT04P06-TP

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

833-MCT04P06-TP

Nr prod.:

MCT04P06-TP

Produc.:

Micro Commercial Components (MCC)

Opis:

MOSFETs 60Vds 20Vgs -3.5A 2.0W -14A

Karta charakterystyki:

MCT04P06-TP Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Micro Commercial Components (MCC) MCT04P06-TP

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
Seria:	MCT04P06
Marka:	Micro Commercial Components (MCC)
Tryb kanału:	Enhancement
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TH
Czas zanikania:	45 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	3.5 A
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Liczba kanałów:	1 Channel
Opakowanie/obudowa:	SOT-223-3
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Pd – strata mocy:	2 W
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Qg – ładunek bramki:	12 nC
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Czas narastania:	105 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	Si
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	45 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Jednostka masy:	250 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MCT04P06-TP Karta charakterystyki (PDF)

Certificate of RoHS Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.