Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 426.13 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-PXAE263708NBV1R2

Nr prod.:

PXAE263708NB-V1-R2

Produc.:

MACOM

Opis:

RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Karta charakterystyki:

PXAE263708NB-V1-R2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM PXAE263708NB-V1-R2

Na stanie magazynowym: 90

Stany magazynowe:: 90 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 90 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	426,13 zł	426,13 zł
	354,48 zł	3 544,80 zł
	327,56 zł	32 756,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
	327,56 zł	81 890,00 zł
500	Oferta

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	65 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Częstotliwość robocza:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Wzmocnienie:	13.5 dB
Moc wyjściowa:	400 W
Maksymalna temperatura robocza:	+ 225 C
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	HB2SOF-8-1
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	MACOM
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Liczba kanałów:	1 Channel
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Wielkość opakowania producenta:	250
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 6 V to + 10 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

PXAE263708NB-V1-R2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory polowe złączowe JFET i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik LDMOS 5G RF firmy MACOM to wysokiej mocy tranzystory wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji. Urządzenia te oferują technologię tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) GaN na SiC, dopasowanie sygnału wejściowego, wysoką wydajność oraz ulepszoną termicznie obudowę do montażu powierzchniowego z kołnierzem bez uszu. Tranzystory MACOM 5G RF JFET i LDMOS FET idealnie nadają się do stosowania w wielostandardowych komórkowych wzmacniaczach mocy.