PXAC201202FC-V2-R0

Name: MACOM PXAC201202FC-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAC201202FC2R0
Price: 288.33 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-PXAC201202FC2R0

Nr prod.:

PXAC201202FC-V2-R0

Produc.:

MACOM

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 50 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
	288,33 zł	14 416,50 zł
	262,54 zł	26 254,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	240 mA
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	65 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	300 mOhms
Częstotliwość robocza:	1.8 GHz to 2.2 GHz
Wzmocnienie:	16.5 dB
Moc wyjściowa:	120 W
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	H-37248-4
Opakowanie:	Reel
Marka:	MACOM
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Liczba kanałów:	2 Channel
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 2.69 V