PXAC200902FC-V1-R0

Name: MACOM PXAC200902FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAC200902FC1R0
Price: 232.68 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-PXAC200902FC1R0

Nr prod.:

PXAC200902FC-V1-R0

Produc.:

MACOM

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 50 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
	232,68 zł	11 634,00 zł
	209,58 zł	20 958,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	Dual N-Channel
Technologia:	Si
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	65 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	220 mOhms
Częstotliwość robocza:	1.805 GHz to 2.17 GHz
Wzmocnienie:	17.2 dB
Moc wyjściowa:	90 W
Maksymalna temperatura robocza:	+ 225 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H-37248-4
Opakowanie:	Reel
Marka:	MACOM
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Liczba kanałów:	2 Channel
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 10 V