Przejdź do głównej treści

+48 71 749 74 00

Część TTI Rodzina specjalistów Skontaktuj się z firmą Mouser +48 71 749 74 00 Opinie

Zmień lokalizację

Potwierdź wybór waluty:

PLN
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 300 zł (PLN).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Euro
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 75 € (EUR).
Wszystkie dostępne opcje płatności

USD
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej $90 (USD).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Na stanie magazynowym

RoHS

Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj
Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj

Historia zamówień

Produc.	Nr prod.:	Liczba szt.	Ogółem zewn.

Przeglądaj koszyk

Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

GTRB266502FC-V1-R2

MACOM

Nr Mouser:

941-GTRB266502FCV1R2

Nr prod.:

GTRB266502FC-V1-R2

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)

Cykl życia:

Zamówienie specjalne z fabryki:

Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować aktualne ceny, czas realizacji zamówienia i wymagania producenta.

Karta charakterystyki:

GTRB266502FC-V1-R2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Technologia:	GaN
Marka:	MACOM
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	250
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GTRB266502FC-V1-R2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Stany Zjednoczone
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

Dowiedz się więcej

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

Dowiedz się więcej

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

Dowiedz się więcej

Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory wysokiej mocy wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji.

Dowiedz się więcej

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

Dowiedz się więcej

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne obecnie - prosimy zadzwonić, aby otrzymać wycenę

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.