Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

ISC034N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC034N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC034N08NM7ATMA
Price: 9.2 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-ISC034N08NM7ATMA

Nr prod.:

ISC034N08NM7ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 3 462 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,20 zł	9,20 zł
	5,88 zł	58,80 zł
	4,01 zł	401,00 zł
	3,34 zł	1 670,00 zł
	3,10 zł	3 100,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	2,89 zł	14 450,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PG-TDSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	122 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.4 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.2 V
Qg – ładunek bramki:	34 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	115 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	3.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	50 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	2.5 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	13.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.6 ns
Nazwy umowne nr części:	ISC034N08NM7 SP006167256