Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IRF2907ZPBF

Name: Infineon IRF2907ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF2907ZPBF
Price: 16.25 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

942-IRF2907ZPBF

Nr prod.:

IRF2907ZPBF

Produc.:

Infineon Technologies

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 2 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 2 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Produc.:

Infineon Technologies

Nr prod.:

IPP040N08NF2SAKMA1

Opis:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	75 V
Id – Ciągły prąd drenu:	170 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	180 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	330 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	2 g