IPWS65R075CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPWS65R075CFD7AX
IPWS65R075CFD7AXKSA1

Produc.:

Opis:
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 240   Wielokrotności: 240
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
13,57 zł 3 256,80 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
32 A
75 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
68 nC
- 40 C
+ 150 C
171 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Marka: Infineon Technologies
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: CoolMOS CFD7A
Wielkość opakowania producenta: 240
Podkategoria: Transistors
Nazwy umowne nr części: IPWS65R075CFD7A SP005405806
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.