Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPTG039N15NM5ATMA1

Name: Infineon IPTG039N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TG039N15NM5ATMA1
Price: 11.09 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-TG039N15NM5ATMA1

Nr prod.:

IPTG039N15NM5ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Karta charakterystyki:

IPTG039N15NM5ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPTG039N15NM5ATMA1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1800 Wielokrotności: 1800

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1800)
	11,09 zł	19 962,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOG-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	190 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	74 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	319 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	DE
Kraj pochodzenia:	DE
Czas zanikania:	5.5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	110 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.5 ns
Seria:	OptiMOS 5
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	23.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	19 ns
Nazwy umowne nr części:	IPTG039N15NM5 SP005676943