Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPTA60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPTA60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTA60R180CM8XTM
Price: 10.08 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPTA60R180CM8XTM

Nr prod.:

IPTA60R180CM8XTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Karta charakterystyki:

IPTA60R180CM8XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPTA60R180CM8XTMA1

Na stanie magazynowym: 1 269

Stany magazynowe:: 1 269 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,08 zł	10,08 zł
	6,47 zł	64,70 zł
	4,41 zł	441,00 zł
	3,65 zł	1 825,00 zł
	3,39 zł	3 390,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	3,17 zł	6 340,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LHSOF-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	18 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	180 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.7 V
Qg – ładunek bramki:	17 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	119 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	DE
Czas zanikania:	12.8 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Seria:	600V CM8
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	88.4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	17.2 ns
Nazwy umowne nr części:	IPTA60R180CM8 SP005728611

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPTA60R180CM8XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.