Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IPD65R950CFDATMA2

Name: Infineon IPD65R950CFDATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD65R950CFDATMA
Price: 6.22 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPD65R950CFDATMA

Nr prod.:

IPD65R950CFDATMA2

Produc.:

Infineon Technologies

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,22 zł	6,22 zł
	3,94 zł	39,40 zł
	2,62 zł	262,00 zł
	2,06 zł	1 030,00 zł
	1,89 zł	1 890,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,65 zł	4 125,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.9 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	950 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	14.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	36.7 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	DE
Kraj pochodzenia:	DE
Czas zanikania:	13.8 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6.5 ns
Seria:	CFD2
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	43 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns
Nazwy umowne nr części:	IPD65R950CFD SP001977060
Jednostka masy:	330 mg