Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPBE65R190CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R190CFD7A1
Price: 16.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPBE65R190CFD7A1

Nr prod.:

IPBE65R190CFD7AATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Karta charakterystyki:

IPBE65R190CFD7AATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPBE65R190CFD7AATMA1

Na stanie magazynowym: 860

Stany magazynowe:: 860 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 860 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,93 zł	16,93 zł
	10,79 zł	107,90 zł
	8,11 zł	811,00 zł
	6,85 zł	3 425,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	6,13 zł	6 130,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	14 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	190 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	28 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	77 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Nazwa handlowa:	CoolMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	DE
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	CoolMOS CFD7A
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	IPBE65R190CFD7A SP005398486

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPBE65R190CFD7AATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.